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碘化鎵(碲摻雜)晶體(99.995) GaTeI

簡要描述:碘化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料最新層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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  • 更新時間:2024-06-03
  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 訪  問  量:1303

詳細介紹

碘化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

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FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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