碘化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料最新層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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簡要描述:碘化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料最新層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2具體請咨詢在線客服
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碘化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料最新層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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