基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜4片

簡要描述：基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜
將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 4片
將每個(gè)石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上
我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98％
石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機(jī)殘留物
每個(gè)石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層）
由于沒有A-B堆疊

更新時(shí)間：2024-06-04
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廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
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基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜
將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 4片
將每個(gè)石墨烯膜連續(xù)轉(zhuǎn)移到晶片上
我們的石墨烯薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的石墨烯覆蓋率約為98％
石墨烯薄膜是連續(xù)的，具有小孔和有機(jī)殘留物
每個(gè)石墨烯薄膜主要是單層（超過95％），偶爾有少量多層（低于5％的雙層）
由于沒有A-B堆疊順序。石墨烯薄膜彼此隨機(jī)取向。
薄層電阻：215-700Ω/平方